芯研所消息,近日网上有消息传闻,合肥长鑫将在今年投产17nm制程工艺的DDR5内存芯片。
据了解,目前长鑫主要量产的产品为第一代10nm级别工艺10G1,实际水平应该是 19nm,主要以DDR4、LPDDR4为主。
今年早些时候便有报道称长鑫未来将要研发17nm及以下工艺的DDR5、LPDDR5等内存。此类内存为10G3代工艺,未来还有10G5工艺,除了DDR5、LPDDR5之外还有GDDR6显存。
随着国内内存芯片厂商不断突破自身瓶颈,相信未来被国外企业“卡脖子”的现象将得到极大的改善。
芯研所消息,近日网上有消息传闻,合肥长鑫将在今年投产17nm制程工艺的DDR5内存芯片。
据了解,目前长鑫主要量产的产品为第一代10nm级别工艺10G1,实际水平应该是 19nm,主要以DDR4、LPDDR4为主。
今年早些时候便有报道称长鑫未来将要研发17nm及以下工艺的DDR5、LPDDR5等内存。此类内存为10G3代工艺,未来还有10G5工艺,除了DDR5、LPDDR5之外还有GDDR6显存。
随着国内内存芯片厂商不断突破自身瓶颈,相信未来被国外企业“卡脖子”的现象将得到极大的改善。