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3 月 17 日发布高通预热新一代骁龙 7 系列芯片:高能低耗
发布日期:2023-06-21 阅读次数:

  原标题:3 月 17 日发布,高通预热新一代骁龙 7 系列芯片:高能低耗

  不久前,高通正式宣布,将于 3 月 17 日举办骁龙移动平台新品发布会,预计将会发布新一代骁龙7系芯片。

  目前,高通预热该芯片,称“卓越性能,超越期待”,“高能低耗,超越期待”。

  据悉,新一代骁龙7系芯片的代号为 SM7475 ,可能命名为骁龙 7+ Gen 1 或者是骁龙 7 Gen 2,不过这次也许还有新的名称。

  此前曾有消息人士透露,高通似乎计划在骁龙芯片家族中引入多个带有“P”“T”等后缀的处理器版本,例如“骁龙7 Gen 2P”,“骁龙 7 Gen 2T”等。

  另据数码博主@数码闲聊站 日前的透露, SM7475芯片的首个跑分出炉,其单核得分为 1232 分,多核得分为 4095 分。(该跑分高于天玑 8200,跟天玑 9000 相当。)

  该博主还曾透露,小米、真我、荣耀、OPPO、vivo等厂商均有规划搭载SM7475芯片的新机,首发新机将会在本月底发布。

  此外,高通通常还会在每年下半年带来旗舰平台的更新迭代。去年11月中旬,高通推出了全新旗舰移动平台第二代骁龙8。相较于以往的产品更新来看,这一新品发布时间提早了一些。最近的消息显示,高通似乎还会再次提前旗舰芯片的迭代。

  @数码闲聊站 在此前回复网友提问“8G3真的会来这么快吗?”这一问题时表示“8G3比今年8G2还早一丢丢,不过新机排期都在Q4”。

  另有爆料显示,全新一代的骁龙8 Gen 3芯片相较于上一代将会带来大幅度的性能升级。其或基于台积电N4P 4nm工艺生产,采用1+4+3架构,配备3.70GHz频率的Cortex-X4 核心。

  与之对比,第二代骁龙8基于 4 nm 工艺制造,采用1+2+2+3 架构,拥有1个主频3.2GHz的超大核、4个主频的2.8GHz性能核、3个频率2.0GHz的能效核。